Foto: SK Hynix

SK Hynix verkündete nun die Entwicklung erster DDR4-Speichermodule mit einer Kapazität von 128 Gigabyte. Durch die gegenüber den bisher größten RAM-Riegeln bei DDR4 mindestens verdoppelte Speicherdichte, werden pro Modul-Seite bis zu 64 GB verbaut. Zudem wird in Teilen auf die TSV-Technologie (Through Silicon Via) zurückgegriffen.

Die Basis des hochkapazitiven RAM-Module bilden dabei 8-Gigabit-DDR4-Speicherchips, die in einem Prozess der 20-nm-Klasse gefertigt werden. Der Hersteller bewirbt die doppelseitig bestückten DRAM-Module als First Highest Density. Nach den JEDEC-Spezifikationen für DDR4 arbeiten die neuen Hynix-Module bei einer maximalen Geschwindigkeit von 2.133 Megahertz über das 64-Bit-I/O-Interface mit einer Versorgungsspannung von 1,2 Volt. SK Hynix spricht von einem maximalen Datendurchsatz von 17 Gigabyte pro Sekunde.