Der deutsche Halbleiterkonzern Infineon hat am Mittwoch auf dem VLSI Technology Symposium in Kyoto eine neuartige Mikrochipbauweise vorgestellt, mit der Prozessoren produziert werden können, die einen besonders geringen Stromverbrauch aufweisen.

50 Prozent weniger Verbrauch
Laut Infineon bringt die neue Bauweise, die Multi-Gate-Feldeffekt-Technologie, gegenüber den heute üblichen, in 65-nm-Prozessen hergestellten Prozessoren rund 50 Prozent Energieersparnis im Betrieb sowie 90 Prozent bei den Ruheströmen.

Das Besondere an Infineons Multi-Gate-Transistor ist sein dreidimensionaler Aufbau, der eine höhere Energieeffizienz der Schaltung ermöglicht. Die Strukturen der heute üblichen Mikroprozessoren sind zweidimensional.

Hohe Geschwindigkeit im Test
Laut dem Münchner Konzern ermöglicht das neue Design auch extrem kurze Schaltzeiten. In einem Testaufbau mit über 23.000 Transistoren, der noch im 65-nm-Prozess gefertigt wurde, erreichten die Ingenieure eine Spitzengeschwindigkeit von 13,9 Pikosekunden. Nach Angaben des Unternehmens ist das um 40 Prozent schneller als der bisherige Geschwindigkeitsrekord für Schaltzeiten in einer 65-nm-Architektur.

Laut Infineon sind Chips in der neuen Bauweise vor allem für den Einsatz in tragbaren elektronischen Unterhaltungsgeräten und Multimedia-Mobiltelefonen geeignet. Die Akku-Laufzeit solcher Geräte würde sich mit den neuen Chips verdoppeln. Wann die neue Technologie in der Serienfertigung eingesetzt werden wird, hat Infineon nicht bekannt gegeben.

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