Bis zu 18 Prozent schneller und 10 Prozent mehr Transistoren: Intel macht mit seiner EUV-Fertigung einen großen Sprung.

In die Details ihrer Fertigung geben Halbleiterhersteller nur selten Einblick. Intel hat bei der aktuell auf Hawaii stattfindenden Konferenz VLSI Details seines 3-nm-Fertigungsprozesses Intel 3 präsentiert. Es für das Unternehmen der letzte Finfet-Prozess, bevor mit Intel 20A der Umstieg auf Gate-all-around-Fets (GAAFets) erfolgt. Der auffälligste Unterschied zu Intel 4, aus dem Intel 3 als Weiterentwicklung hervorgeht, ist die High-Density-Bibliothek.